مرجع دانلود مقالات آماده: دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون soi بر عایق با اکس

عنوان فارسی مقاله:دستگاه های قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون SOI بر عایق با اکسید مدفون

چکیده ما به توصیف دستگاه های SOI می پردازیم که دارای یک اکسید مدفون برای بهبود عملکرد دستگاه می پردازیم. SOI-LDMOSFET با ولتاژ بالا دارای یک اکسید مدفون است. این خود امکان کاهش طول رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد. با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون، پهنای ستون p و دوپینگ تعریف می شود. ترانزیستور های دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به ۶۵ درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT مشاهده می شود.دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی

دانلود جدیدترین مقالات ترجمه شده مهندسی
برای دانلود مقاله ترجمه شده به سایت

Title: New SOI lateral power devices with trench oxideمراجعه فرمایید

Abstract: We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage and the specific on-resistance of the suggested devices as a function of the trench oxide depth, the p-column width, and the doping are studied. Shorted-anode lateral insulatedgate bipolar transistors (SA-LIGBTs) on SOI have a trench oxide at the drain/anode region. It suppresses effectively the snap-back voltage inherent in conventional SA-LIGBTs without increasing the anode length of the device. Using the two-dimensional numerical simulator Minimos-NT, we confirm that the drift length of the proposed SJ SOILDMOSFETs is reduced to 65% compared to conventional devices, and a weak negative differential resistance region is observed with the proposed SOI SA-LIGBT.